Micron инвестирует 24 млрд долларов в строительство завода микросхем памяти в Сингапуре
Компания Micron Technology, один из ведущих мировых производителей микросхем памяти, объявила о намерении инвестировать 24 миллиарда долларов в течение следующего десятилетия в строительство нового завода в Сингапуре. Площадь будущего предприятия составит 700 000 квадратных футов. Ожидается, что выпуск пластин начнётся во второй половине 2028 года.
Эта инвестиция направлена на удовлетворение растущего спроса на память для приложений искусственного интеллекта. Ранее Micron уже вложила 7 миллиардов долларов в завод по упаковке высокопроизводительной памяти (HBM) в Сингапуре, что подчёркивает стратегический поворот компании в сторону высокоростовых сегментов рынка.
Решение о значительных инвестициях в производство памяти, связанной с ИИ, совпадает с выходом Micron с потребительского рынка, включая закрытие бренда Crucial. Этот сдвиг обусловлен высоким спросом на память в дата-центрах, при этом доходы от продукции HBM компании достигли 1,98 миллиарда долларов в третьем квартале 2025 года. Компания прогнозирует значительный рост рынка HBM, который превзойдёт рынок DRAM к 2028 году.
Между тем, цены на потребительскую память резко выросли из-за сокращения предложения, при этом цены на DDR4 увеличились более чем на 150% в 2025 году. Инвестиции Micron в Сингапуре направлены на укрепление позиций компании в сегменте памяти для искусственного интеллекта и удовлетворение растущих потребностей рынка.
Читайте также
- Илон Маск в суде обвинил адвоката Сэма Альтмана в попытке его запутать
- Бум ИИ поднял акции компаний хранения данных
- Илон Маск готовит IPO SpaceX по сценарию, который ломает правила Уолл-стрит
- Verizon вернула рост абонентов и повысила прогноз на 2026 год
- Уолл-стрит ждёт, как техногиганты оправдают новую волну расходов на ИИ
- Проблемы ULA с Vulcan открывают SpaceX и Blue Origin путь к новым контрактам
Подписывайтесь на наши Telegram-канал и WhatsApp-канал, чтобы получать оперативную информацию и эксклюзивные материалы. Текст статьи распространяется на условиях лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International (CC BY-SA 4.0). Использование, распространение и переработка материала допускаются при обязательном указании авторства и сохранении той же лицензии.
Автор статьи — Мадина Ахметова.